уровня резистентности, но принадлежащие к разным партиям исследования имеют
близкие друг с другом положения максимумов низкотемпературных (первых) де-
сорбционных пиков воды. В каждой серии образцов наблюдается смещение поло
жения первого максимума десорбции воды в сторону меньших температурных зна
чений, при увеличении порядкового номера образца (хотя в последней, третьей се
рии, образцы среднего и низкого уровней резистентности имеют практически одина
ковые положения максимумов выделения Н20 . Низкотемпературная десорбция Н20
интерпретируется нами как прочно хемосорбированная вода, входящая в состав хи
мических комплексов.
Интересной особенностью отличаются ТПД спектры зубной эмали среднего
уровня резистентности Для всех трех серий наблюдается более интенсивное выде
ление воды в низкой и средней области температур. При этом, спектры воды эмали
среднего уровня резистентности, находящиеся в высокотемпературной области
имеют достаточно узкую форму и сдвинуты в низкотемпературную область выделе-
Для синтетического Саю(Р04)б(0Н)2 наблюдаются два выраженных пика во
ды, отвечающих двум формам с различной прочностью связи: Ттах~200°С и
Ттах~350°С. Кроме того, наблюдается незаконченный пик в области очень высоких
температур с Т тах~720°С. Проанализируем физическую природу выделяемых форм
воды со стандартного образца. Напомним, что методика эксперимента ТПД
выполнена так, что слабосвязанная (физическая) вода, которая содержится в порах
и на поверхности образца по данным термогравиметрического анализа, удалена
перед проведением измерений спектров ТПД. Потом в данном анализе речь идёт о
прочносвязанной воде. Скорее всего, широкий пик в области 100-300°С с Т тах~200°С
отвечает за химически адсорбированную воду на внешней и внутренней
поверхности достаточно пористого гидроксиапатита (хемосорбированная вода).
Второй узкий интенсивный пик отвечает, по-видимому, за кристаллогидратную воду,
связанную со структурой гидроксиапатита
(Са10(РО4)б(ОН)2• n Н20 Са10(РО4)6(ОН)2+ п Н20).
Третий, незаконченный и самый высокотемпературный пик воды, скорее всего
обусловлен процессом дегидроксилирования кристаллов (20Н '
Н20 + 0 2').
Из анализа высокотемпературной области выделения Н20 можно сделать вы
вод, что они являются следствием распада, в процессе ионизации, высокомолеку
лярных соединений, содержащих Н20-группы. Низкотемпературная область <300°С
111
