400
15054918169011060120180
благодаря360390012871142204261332403465534599
бурному9943900128199269338413484572641
развитию16683900128198261319385460521596701
транзисторных240439001281892603223964525275896517207898659591029
полупроводниковых3469390012820227134241148655662669376383490898310511121118812811351
технологий48563900128189250319395464535604662736811
человечество360551012871133203273339402472534596658724794
в1189551012866
конце1291551012867136211286348
ХХ16745510128102202
века1911551012866128196258
вступило2204551012867129190260333409479549
в2788551012867
эпоху2889551012861135206275346
информатики.3268551012875150242312382471533595669737811847
Первые7207120128101163233300395457
экспериментальные1212712012873141204278340409485573635711771834904967104211361199
образцы2446712012882154223286342415510
одноэлектронных299171201288315422929936043049156062169076083591010031074
нанотранзисторов410071201288815022529435642648856361969375581788795610261093
(Sandia5228712012859137199269338378439
National3608730128101163202242311382444483
Labs,8788730128108170239294330
конец1243873012890159235297371
1990–х)1650873012892162233302374445492
были2177873012893188258332
довольно2544873012894163229299369433508578
большими,3158873012892163234297405479568643678
так3871873012883145213
как4120873012890153221
для4376873012894165229
их4640873012896167
производства4842873012897167237311367437507578640702768830
применялась3601035012875146220309372445510580643705769
20–нм11641035012884153225300389
литография,15871035012885160221291349418481571646710745
и23671035012890
функционировали24931035012810517524831739246853761268775782689395510251100
только36281035012877146216280347418
при40811035012889160234
температуре43511035012876139226301364433496557627696759
жидкого514410350128112187258326396454523
гелия3601195012858120190265330
(4,27251195012847116151221
К).9811195012894141176
При72013560128101171247
комнатной100213560128101171260335397459533602678
температуре17151356012895157245320382452514576646714777
смогли25271356012896185255313383458
заработать30201356012887150220282353424485546608672
лишь372613560128103178287351
транзисторы41111356012895165227303358433496557626696791
с49371356012896
размером506813560128103165220309372440511599
рабочей3601517012870133203274345406481
области87715170128105175246308370432507
1–2141915170128105175246
нм,170115170128109198233
недоступным197015170128109171243312375437507580655749837
современной28421517012898168235304367456518592667737811
литографии.368915170128105180242310368439500591666741776
Получить450015170128137207277347416491553617
рабочие515015170128106169239310380455518
элементы3601678012860130192281343418480575
транзисторов97016780128116185248323379452515576645716786852
столь185716780128117178249319383
малых227416780128144206276370440
размеров274816780128125188244332395465534601
удалось338416780128125194257327398460524
с394316780128117
помощью409516780128130200290360467531636
молекулярно–476516780128144214285347414484552616687762833907
кластерной3601839012868138201263324387457531601676
технологии10721839012870132201277346417487544619694
(«КТ»18021839012856126219305374
#364),22111839012879150219289336371
которая,26171839012877148209279349411476511
в31631839012875
принципе,32731839012884155229305379454529592627
позволяла39351839012883153209275344414478548611
размещать45811839012879142197286347455517579641
250052571839012879150221290
и55831839012883
более3602001012871142213274336
рабочих7312001012870132203272343419488
элементов12552001012860129191280341416478548615
на19032001012875138
одном20762001012870141215286375
квадратном24852001012868134197268337400462537606695
микроне.32152001012889163231300371446508543
За7202161012870133
полвека88821610128108178248314377445507
транзистор14302161012895164226301357431494554624695
уменьшился216021610128103190253328392500575645707772
примерно296721610128107178252342404473548618
в362021610128100
сто37912164012662131201
тысяч402921640126102212274349428
раз449121640126111181238
по47992161012875145
линейному497921610128103178253316390464535623693
размеру3602322012870133188277340408479
и8722322012875
в9832322012866
101010842325012670141211281
раз14012325012678146202
—163823220128140
по18132322012875146
массе.19942322012889150212275337372
За7202483012870133
радикальными88824830128126189259335403465535599673768856931
количественными18542483012812519526634041047353559666372579987496810571131
превращениями3020248301281312022653314004625706327077818469351009
кроется406424830128126195264327389451515
принципиальное4614248301281322012773514265015756517147848489219911053
изменение3602644012875131220282357419494568631
качества,102626440128148210281343405466533593628
так169026440128142204272
как199726440128149211279
устройства231126440128151211273343414488551612678741
переключения308726440128155217286349417487592662724799873938
электрических406026440128142212273342402472547617680742810885954
сигналов504926440128143218276350413483552618
достигают3602805012871142204265340398461565627
минимально102028050128150225299373463525594657732803
возможных185828050128127196252341409507582676745
размеров,263928050128129191247336398468537604639
обусловленных331328050128129201272333403473539609671746822915986
атомной433328050128123185257347422491566
структурой493428050128123185254323390451522591661737
вещества.3602966012866129237299361423489551586
Да101529660128150212
и126329660128123
свойства142029660128110176246321383445511573
самих202829660128109171260334404
электрических246829660128108178239307368438513584646707775851920
сигналов342429660128109184242317378448519585
в404429660128114
наномире419329660128121184258328417491561624
оказываются485229660128116185247303396462525630690753816
существенно3603128012862133239301364425491554629704774
иными,11683128012876151245334408442
нежели16453128012875137234297367442
в21223128012866
микромире,22233128012889162231300371460534603666701
не29593128012875138
говоря31323128012857126193261332396
уж35633128012870166
о37643128012870
макромире.38693128012889152220290359449523593656691
В7203288012894
Lawrence84932880128101162264310372443505568
Berkeley145232880128109171218287350388450520
National202132880128102163202242312382445483
Laboratory253932880128101163233303350412450521568637
(США)32113288012862155297398444
в36903288012882
199838253291012670141211281
г.4142329101267942213288012835
сначала42913288012877153215286347417480
были48063288012886181251325
созданы51663288012878148204274337411504
образцы3603449012870142212274330404498
нанотранзисторов892344901287513821328234441347655060568074280587594510151082
на20073449012876138
основе21803449012870133207277343406
углеродных26213451012670134212274352421493574683752
нанотрубок.3409345101268115023230036944851758765773941493449012835
В7203610012894
дальнейшем84936100128182245315379453516590698761848
(200017323610012815818913612012670141210280
г.)2207361201261752381361001283582
были249836100128182276346421
получены295436100128185256326396465527602697
нанотранзисторы36873610012818524732139245452258565971579085291498310521147
на487036100128185247
основе515236100128181243317387454516
фуллереновых3603773012697166245324387465526607677753863931
кластеров13273773012681159229291360423501570646
C60.20083773012610117124022513771012835
В7203932012894
Кембриджском84939320128172234323394463539609707769836907996
университете187939320128149222298364426497559633695757819881
и279439320128154
токийской298239320128139209278352427490557627702
Japan371939320128132195264327396
Science415039320128156218257320389452514
&469839320128188
Technology492139320128165227288358428497536606676747
Corporation3604094012894164211280351398459498537607677
разработан107240940128197260316384447517588650711786
одноэлектронный189340940128197269344413474544606674735804874949102411181193
транзистор,312140940128190258321396452526588650719789824
функционирующий3980409401282192893624315065826567328068769471050115812331308
при532440940128202272347
комнатной3604255012868138228302364426501570645
температуре.10404255012861123212287349419481542611680742777
В7204415012894
конце8494415012872143217293355
апреля12394415012866141211273343408
200316864418012670141210280
г.2002441801266820714415012835
исследовательское2141441501287914220427433740747654360566772979986292499110621125
подразделение33004415012878148219289352407479540610672748822884
IBM42224415012846139264
Research,45254415012894156211273335382444514549
объявило51084415012875145218283349423493563
о3604576012870
том,46645760128117186275310
что81145760128127188257
ученым110445760128126195257332426514
компании165345760128124194283358420495569645
удалось233345760128126196259329399460524
создать289245760128118188244314377439503
первые342945760128130193262328423488
в395145760128123
мире410945760128144220289352
микроскопические449545760128145220287357427490558627702777848909972104011141176
твердотельные3604737012861128190260332401463525595659734827890
излучающие12844737012885141211281349412517625700762
нанотрубки,2092473901268115123230037044851758766874928414737012835
электрически29114737012871141202270332402478548610672740815
управляемые37714739012670151228298374453529591686795858
"модулятором"466447390126871822523233944725476166867658349291007
из3604902012681137
одной5324902012670141222292373
единственной9404902012662133214294356425501564645724793875
молекулы.18494902012696166244307388458536646680
В7205060012894
20048495060012898168239308
г.11935060012886121
в13495060012894
University147850600128131200239309371418471511549620
of21325060012898146
California231350600128122184223262309378425496534597
(Irvine)29455060012876122168237277346409456
на343650600128103165
основе36365060012898161236305372434
однослойной41055060012897168243313376446515590665734810
углеродной49505060012899154224286357427498573643718
нанотрубки3605221012875138213282344413484553622697
с109352210128114
золотыми124252210128108178249317378473561637
электродами191452210128113183245313374443513585646735810
был275952210128124218289
создан308252210128115185241311377451
нанотранзистор,3568522101281281912653343954655286036597327958569259961031
работающий463452210128121184255325387449553661736811
на548152210128127189
частоте3605381012871133195257327389450
2,684553810128128164233
ГГц.111353810128140221296331
В147953810128150
том166553810128119189279
же197953810128155217
году223153810128117186257328
в259253810128125
Infineon275253810128105175223262331394463534
Technologies332153810128144206268338407478516586656695758811
на416853810128133195
основе439853810128129191265336403464
углеродных489753810128128184255317387458529603698767
нанотрубок3605542012875138213282344413484553624692
меньшего108855420128117179253317425487544614
размера17385542012898161216304366436498
был227155420128100194264
создан25705542012890161217287349425
рекордно30305542012897160228298367439514583
малый364955420128117179249343418
нанотранзистор:4102554201281031662403113724415045786347097718329019711011
диаметр51485542012899174237325387448517
трубки3605703012861132202272340415
0,7–1,18195706012670106174245315350421
нм12825703012875163
при14805703012882152227
длине17435703012878148222297360
канала21385703012875136211274344407
5025805703012876146
нм.27625703012880169205
Электроды30085703012893163224293354424494566659
стока37035703012869130200268329
и40675703012882
истока41855703012881144205276343406
были46265703012878172246321
выполнены49835703012873167241312382455518593687
из3605864012875131
палладия.5285864012875137207277339409485549584
Транзистор11495864012886155218292348423484546616685
обладает18705864012872143213275346408471532
также24375864012863126193290352
рекордно28235864012872135203273342414489558
высоким34175864012868162225294362437526
отношением39785864012871133208277386448522597659748
сопротивлений47615864012864133209278348410483550620681757831905
в3606025012866
закрытом4616025012855118186256351412481571
и10656025012875
открытом11766025012870131199269363423493583
режимах17946025012870131228303392454523
—235460250128140
около25296025012870139208277347
106.29126025012870139305259950824530986025012835
В7206187012894
обычной8496187012891163257327402471547
микроэлектронике143161870128110184252322392453522583652713783853928100310711134
для26006187012891162226
создания28616187012884153209279342417491556
транзисторного34526187012883152214288344419482543612682757827884954
эффекта44426187012881172263324393454516
необходим49936187012896158227299369439510585674
полупроводник.3606348012875146216286359430499566636707782857925960
Почему?135563480128119188258320409479540
Потому193163480128119188250319408479
что24436348012888149220
полупроводник26986348012892162233302376446516582653723799873946
позволяет36796348012892161217283353423487550611
создать43256348012880149205277338399463
среду48236348012880149212283353
с52096348012880
легко53246348012888150207276346
управляемой3606509012870143214277343413477539628698773
концентрацией11696509012868137212287349423485555618692766829904
заряженных21086509012856118187252348410485560654724
частиц,28686509012870131194255330404440
ответственных33426509012871132199261322383444511571646722816885
за42636509012855117
проводимость.44156509012875144215282350422497586655717778842877
Диэлектрики7206669012896171232302363432493562638705780
ток153666690128108176245
вообще181666690128113183253325433495
не234666690128122184
пропускают.256566690128121191261336406467535598702764799
Они339866690128148223298
пригодны373166690128122192267325394466540634
лишь440066690128116191299364
для479866690128118188252
создания508666690128109179235305368442517581
изоляции3606830012875131201271336410485559
между95568300128139200297367438
токоведущими142668300128112182250319386448520590697772861935
частями.239768300128120182244305368457532568
В300068300128143
металлах317768300128139201263325395465527596
же380868300128146208
концентрация405168300128119188263338401475536605668743817882
свободных496768300128113178248319390460536629700
заряженных3606991012855118188253349411486561656725
частиц11216991012889151213274349423
настолько15796991012894156219280350421484552621
высока,22366991012885179242311380441476
что27476991012889151221
внешнее30036991012885161223330405468529
электрическое35676991012879149211279341411485556619681748818881
поле,44836991012893164234296331
приложенное48496991012893163238308377474536611686755818
через3607153012871133203266322
изолирующий7157153012880136204275350419490593700776851
затвор,16017153012860123184250320389425
внутрь20617153012870146216276346410
металла25107153012889151213275344413475
практически30207153012880150213280342417487549611680754
не38097153012879141
проникает.39857153012879149219294369437499561622657
Однако468271530128101172246309377446
если51647153012865128198273
тот54727153012866135196
же3607314012897159
металл55473140128129191252315385454
взять104373140128105161225286350
в142873140128105
количестве156973140128107177248322392454517578644707
нескольких231173140128113175238306375446508576651722
атомов,306873140128102163232322390457492
то359573140128100171
электронные38017314012899169230298359430499575649743806
свойства464273140128101167236312374436502563
такого524073140128100163231301358427
образования,3607475012870142212274330399465528603677742777
нанокластера,11707475012876138213284353422484546607670740803838
будут20417475012872142212283342
напоминать24197475012875138213283372447522584646710
свойства31637475012862129198274335397463525
полупроводника.372374750128751442142853584294995666357067818559249861021
Это7207636012893154224
позволяет97976360128114183239305375445510571632
сконструировать1646763601281011692383133754375075776517217918589209811045
транзистор272576360128100170232307363436499560630700
нанометровых346076360128112175250320409471533601671738832901
размеров439776360128108171226315376446516582
на501576360128112174
основе522476360128108171245315381444
атомов3607796012862124194283352419
металла8137796012889152213275345415477
с13257796012862
использованием14227796012875138212282353416471541608670744818881970
окисла24277796012870138213274345407
в28697796012866
качестве29707796012867130200263325387453515
изолятора.35187796012876131201272336397466536599634